BYV410X-600_1
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Product data sheet Rev. 01 — 29 June 2009 4 of 10
NXP Semiconductors
BYV410X-600
Enhanced ultrafast dual rectifier diode
5. Thermal characteristics
6. Isolation characteristics
Table 5. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-h)
thermal resistance from
junction to heatsink
with heatsink compound; per diode;
see Figure 3
--5K/W
with heatsink compound; both diodes
conducting
--3K/W
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient free air
-55-K/W
Fig 3. Transient thermal impedance from junction to heatsink per diode as a function of pulse width
001aaf033
1
10?1
10
Zth(j-h)
(K/W)
10?3
?6
10?2
tp
(s)
10
10
1
10?1
10?5
10?3
10?2
10?4
tp
t
=
p
T
P
t
T
δ
Table 6. Isolation characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Visol(RMS)
RMS isolation voltage 50 Hz < f < 60 Hz; sinusoidal waveform;
relative humidity < 65 %; clean and dust
free; from all terminals to external heatsink
--2500V
Cisol
isolation capacitance from cathode to external heatsink; f = 1 MHz - 10 - pF
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